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OTF-1200X-4-RTP-C3HV 高真空快速CVD系统

应用范围：高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火，并采用 10KW的红外灯进行加热，最快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。

产品型号：OTF-1200X-4-RTP-C3HV

上架时间：2020-04-16

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高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火，并采用 10KW的红外灯进行加热，最快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。

功能特点

双层Al2O3纤维钢构，无需水冷或风冷。
内炉膛表面涂有进口高温氧化铝涂层，可以提高设备的加热效率及延长仪器的使用寿命。
PID控制器，可以设置30段升降温程序，并设有过热保护和断偶功能。
已通过CE认证。

技术参数
安装条件	本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。
水	不需要。
电	AC220V 50Hz，必须有良好接地
气	设备腔室内需充注气体，需自备气瓶气源
工作台	尺寸1600mm×600mm×700mm，承重150kg以上
通风装置	需要
电源	单相208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW
石英管	外径Ø110mm，内径Ø103mm，长380mm
加热元件	8根红外灯管，灯丝长200mm，丝圈Ø10mm，灯长300mm
加热区	300mm
工作温度	最高温度1100℃
控温精度	±0.5℃
最高升温速度	RT-800℃时为50℃/s，800℃-1000℃时为10℃/s
温控仪	可控硅（SCR）PID自动控制
温控仪	可控硅（SCR）PID自动控制
真空法兰	不锈钢，带有水冷接口和针阀，双层高温O型圈密封，长时间在>900℃条件下运行必须采用水冷，循环水流量为0.5m3/hr
真空度	10-2torr（机械泵），10-5torr（分子泵）
质量流量计	3个，MFC1范围0-100sccm，MFC2范围0-200sccm，MFC3范围0-500sccm，精度1±%FS
混气罐	Ø80mm×120mm
炉体尺寸	760mm×330mm×530mm
炉体重量	45kg
真空混气系统尺寸	600mm×600mm×597mm
真空混气系统重量	75kg

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